Transistor BJT (NPN)

Es un dispositivo electrónico de estado solido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.La denominación de bipolar se debe a que la construccion tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades ( huecos positivos), y que son de gran utilidad en gran numero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

ESTRUCTURA:

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo N, tipo P  y tipo N. cada región del semiconductor esta conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segun corresponda.


FUNCIONAMIENTO:

la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su ves, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

EJEMPLO PRACTICO DE NPN: